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對性(xing)能、小型化和(he)更高(gao)頻(pin)率(lv)的(de)需求(qiu)，正(zheng)(zheng)挑戰(zhan)無線系統(tong)中(zhong)兩個關鍵天(tian)線連接元器(qi)件(jian)的(de)限(xian)制：功率(lv)放(fang)大(da)(da)器(qi)(PA) 和(he)低噪(zao)(zao)聲放(fang)大(da)(da)器(qi)(LNA)。5G 的(de)發展以(yi)及 PA 和(he) LNA 在微波無線電鏈路、VSAT（衛星通信系統(tong)）和(he)相控陣雷達系統(tong)中(zhong)的(de)使用(yong)(yong)正(zheng)(zheng)促成這(zhe)種(zhong)轉變。這(zhe)些應用(yong)(yong)的(de)要求(qiu)包括(kuo)較(jiao)低噪(zao)(zao)聲（對于(yu)(yu) LNA）和(he)較(jiao)高(gao)能效（對于(yu)(yu) PA）以(yi)及在高(gao)達或高(gao)于(yu)(yu) 10 GHz 的(de)較(jiao)高(gao)頻(pin)率(lv)下(xia)的(de)運行。為了滿足(zu)這(zhe)些日益增長的(de)需求(qiu)，LNA 和(he) PA 制造(zao)商正(zheng)(zheng)在從(cong)傳統(tong)的(de)全硅工藝轉向用(yong)(yong)于(yu)(yu) LNA 的(de)砷化鎵(jia)(GaAs) 和(he)用(yong)(yong)于(yu)(yu) PA 的(de)氮化鎵(jia)(GaN)。
本文將介紹(shao) LNA 和(he) PA 的(de)作(zuo)用和(he)要求(qiu)及(ji)其主要特(te)性，然后介紹(shao)典型的(de) GaAs 和(he) GaN 器件以及(ji)利用這些(xie)器件進行(xing)設(she)計時的(de)注(zhu)意事項。
LNA 的靈敏作用
LNA 的作用是從(cong)天線獲取極其微(wei)弱的不確定(ding)信號(hao)，這(zhe)些信號(hao)通常(chang)是微(wei)伏數(shu)量級的信號(hao)或(huo)者低于(yu) -100 dBm，然后將(jiang)該信號(hao)放大至一個更有(you)用的水平，通常(chang)約為 0.5 到 1 V（圖 1）。具體來看，在 50 Ω 系(xi)統中 10 μV 為 -87 dBm，100 μV 等于(yu) -67 dBm。
利用(yong)現代電子技術可以(yi)輕松實現這樣的增益(yi)，但 LNA 在微弱(ruo)的輸入(ru)信號(hao)中加入(ru)各種噪(zao)聲時，問題將(jiang)遠(yuan)不是(shi)那么簡(jian)單。LNA 的放大優勢會在這樣的噪(zao)聲中*消失。
圖 1：接收路徑(jing)的(de)(de)低噪聲放(fang)大(da)器(LNA) 和發(fa)送(song)路徑(jing)的(de)(de)功率放(fang)大(da)器(PA) 經由雙(shuang)工(gong)器連接到(dao)天線，雙(shuang)工(gong)器分開兩個信號，并(bing)防止相對(dui)強大(da)的(de)(de) PA 輸出使(shi)靈敏的(de)(de) LNA 輸入過(guo)載(zai)。（圖片來源：Digi-Key Electronics）
注(zhu)意，LNA 工作在(zai)一個充(chong)滿未知的(de)世界中(zhong)。作為收發通道的(de)前端(duan)，LNA 必(bi)須能捕捉并放大相關帶寬內功耗極低的(de)低電(dian)壓信號以及天線造(zao)成的(de)相關隨(sui)機噪(zao)聲。在(zai)信號理(li)論(lun)中(zhong)，這種情況稱作未知信號 / 未知噪(zao)聲難題(ti)，是所有信號處理(li)難題(ti)中(zhong)最難的(de)部分。
LNA 的(de)主要參數(shu)(shu)是噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)(shu)(NF)、增(zeng)益(yi)(yi)(yi)和線性度(du)。噪(zao)聲(sheng)(sheng)來自熱源及其它噪(zao)聲(sheng)(sheng)源，噪(zao)聲(sheng)(sheng)系數(shu)(shu)的(de)典型值為(wei) 0.5 - 1.5 dB。單(dan)級放(fang)(fang)大器的(de)典型增(zeng)益(yi)(yi)(yi)在(zai) 10 - 20 dB 之間。有一些(xie)設計(ji)采用在(zai)低(di)(di)增(zeng)益(yi)(yi)(yi)、低(di)(di) NF 級后加一個更(geng)高增(zeng)益(yi)(yi)(yi)級的(de)級聯放(fang)(fang)大器，這種(zhong)設計(ji)可能達到較高的(de) NF，不過一旦初始信號(hao)已經“增(zeng)大”，這樣做就變(bian)得(de)不那么重要。（有關 LNA、噪(zao)聲(sheng)(sheng)和射頻接收器的(de)詳細內容(rong)，請參閱 TechZone 中《低(di)(di)噪(zao)聲(sheng)(sheng)放(fang)(fang)大器可以最大限度(du)地提升接收器的(de)靈(ling)敏度(du)》一文。）
LNA 的(de)另(ling)一個問題是非線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)度(du)，因為合(he)成諧波和(he)互調(diao)失真可使接收(shou)到的(de)信(xin)號質量惡化，在位(wei)誤差率(lv)(BER) 相當低(di)時使得(de)信(xin)號解(jie)(jie)調(diao)和(he)解(jie)(jie)碼變得(de)更加困難。通(tong)常用三(san)階交調(diao)點(IP3) 作(zuo)為線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)度(du)的(de)特征化參數，將三(san)階非線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)項引起的(de)非線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)乘積與以線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)方式放(fang)大的(de)信(xin)號關聯在一起；IP3 值越高(gao)，放(fang)大器(qi)性(xing)(xing)能的(de)線(xian)(xian)(xian)性(xing)(xing)度(du)越好(hao)。
功(gong)耗(hao)和能效(xiao)在(zai) LNA 中通(tong)(tong)常不(bu)屬于(yu)首(shou)要問題。就本(ben)質而言，絕大多數 LNA 是(shi)功(gong)耗(hao)相當低(di)且(qie)電流(liu)消耗(hao)在(zai) 10 - 100 mA 之間(jian)的(de)器(qi)件，它們向下一(yi)(yi)級提供電壓增益，但不(bu)會向負載(zai)輸(shu)送功(gong)率(lv)。此(ci)外，系統中僅(jin)采用(yong)一(yi)(yi)個或者兩個 LNA（后者常用(yong)于(yu) Wi-Fi 和 5G 等接口的(de)多功(gong)能天線(xian)設計中），因此(ci)通(tong)(tong)過低(di)功(gong)耗(hao) LNA 節能的(de)意義不(bu)大。
除工作頻率和(he)帶(dai)寬(kuan)外，各種 LNA 相對來講在(zai)功(gong)能上非常(chang)相似。一些 LNA 還具有增益控制功(gong)能，因此(ci)(ci)能夠應對輸(shu)入信號的(de)寬(kuan)動態范圍(wei)(wei)，而不(bu)會出現過載(zai)、飽(bao)和(he)。在(zai)基站至手機通道損耗范圍(wei)(wei)寬(kuan)的(de)移動應用中，輸(shu)入信號強度變化范圍(wei)(wei)如此(ci)(ci)之寬(kuan)的(de)情況會經常(chang)遇到，即使單連(lian)接(jie)循(xun)環也是如此(ci)(ci)。
輸(shu)(shu)入(ru)信(xin)號到(dao) LNA 的路由以(yi)及(ji)來自其輸(shu)(shu)出信(xin)號與元(yuan)器件(jian)本身的規格一樣重要。因此，設(she)計人(ren)員必須(xu)使用(yong)(yong)復雜的建(jian)模(mo)和(he)布(bu)局(ju)工(gong)具來實現(xian) LNA 的全部潛在(zai)性能(neng)。由于布(bu)局(ju)或(huo)阻抗匹配不佳，優質元(yuan)器件(jian)可(ke)能(neng)容易劣化，因此務(wu)必要使用(yong)(yong)供應(ying)商提(ti)供的史(shi)密(mi)斯圓圖(tu)（參(can)見“史(shi)密(mi)斯圓圖(tu)：射(she)頻設(she)計中依舊至(zhi)關(guan)重要的一個‘古(gu)老’圖(tu)形工(gong)具”），以(yi)及(ji)支持仿真和(he)分析(xi)軟件(jian)的可(ke)靠電路模(mo)型。
由于(yu)這些原因(yin)，幾乎所(suo)有在 GHz 范(fan)圍內(nei)工作的(de)(de)(de)高(gao)性(xing)能 LNA 供(gong)應(ying)商(shang)均會提供(gong)評估(gu)板(ban)或經過(guo)驗證的(de)(de)(de)印(yin)刷電路板(ban)布局，因(yin)為測試設(she)置的(de)(de)(de)每個方面都至關重(zhong)要，包(bao)括布局、連接器(qi)、接地(di)、旁路和電源(yuan)。沒有這些資源(yuan)，設(she)計人員就(jiu)需要浪費時間來評估(gu)元(yuan)器(qi)件在其應(ying)用(yong)中的(de)(de)(de)性(xing)能。
基于(yu) GaAs 的(de)(de) LNA 的(de)(de)一個(ge)代表是 HMC519LC4TR。這是一種(zhong)來(lai)自(zi) Analog Devices 的(de)(de) 18 到(dao) 31 GHz pHEMT（假(jia)晶高電(dian)子遷移率晶體管）器件（圖(tu) 2）。這種(zhong)無引(yin)線 4×4 mm 陶瓷(ci)表面貼裝(zhuang)封裝(zhuang)可提供(gong) 14 dB 的(de)(de)小信號增益，以及 3.5 dB 的(de)(de)低(di)噪聲系數和+ 23 dBm 的(de)(de)高 IP3。該(gai)器件可從單個(ge)+3 V 電(dian)源提取(qu) 75 mA 電(dian)流。
圖 2：HMC519LC4TR GaAs LNA 為 18 至 31 GHz 的低(di)電(dian)平輸入提供低(di)噪(zao)聲(sheng)增益；大(da)多(duo)數封(feng)裝連(lian)接用于電(dian)源(yuan)(yuan)軌(gui)、接地或(huo)不使用。（圖片來源(yuan)(yuan)：Analog Devices）
從簡單的(de)(de)功能(neng)框(kuang)圖(tu)到具有不(bu)同(tong)值和類型的(de)(de)多個(ge)外部電容器都需要一個(ge)設計進程，提供適當(dang)的(de)(de)射頻旁路(lu)，在三個(ge)電源軌饋(kui)電上具有低寄生(sheng)效(xiao)應，為 Vdd（圖(tu) 3）。
圖 3：在實際(ji)應(ying)用中，HMC519LC4TR LNA 在其電(dian)源(yuan)軌(gui)上需要多個(ge)額定電(dian)壓相同(tong)的(de)旁路電(dian)容(rong)器，以(yi)提供用于低(di)頻濾波的(de)大電(dian)容(rong)以(yi)及用于射頻旁路的(de)較小值電(dian)容(rong)，從而一定程(cheng)度地減少射頻寄生效應(ying)。（圖片來(lai)源(yuan)：Analog Devices）
根據此增強原理圖(tu)生成評估板(ban)，詳細說明布局和 BOM，包(bao)括非 FR4 印刷電路板(ban)材(cai)料(liao)的使用（圖(tu) 4(a) 和 4(b)）。
圖 4(a)
圖 4(b)
圖(tu) 4：考慮到這些 LNA 前端工作的高頻率和(he)它們(men)必須捕獲的低(di)電(dian)(dian)平信號，一(yi)個詳細且經測試的評(ping)估設計至關重要。其(qi)中包括一(yi)份原理圖(tu)（未顯示）、電(dian)(dian)路(lu)板布局(a) 和(he) BOM，及無源元器件和(he)印(yin)刷電(dian)(dian)路(lu)板材(cai)料(liao)(b) 的細節。（圖(tu)片(pian)來源：Analog Devices）
MACOM MAAL-011111 是用于更(geng)高頻率的(de)(de) GaAs LNA，可支持(chi) 22 至 38 GHz 運行（圖 5）。該(gai)器件(jian)可提供(gong) 19 dB 的(de)(de)小信號(hao)增(zeng)(zeng)益(yi)和(he) 2.5 dB 的(de)(de)噪(zao)聲系數。此 LNA 表面(mian)上是一個單(dan)級(ji)器件(jian)，但其內部實際有(you)三(san)個級(ji)聯級(ji)。第一級(ji)針(zhen)對低噪(zao)聲和(he)中等增(zeng)(zeng)益(yi)進行了優化，后(hou)續(xu)級(ji)別提供(gong)額外增(zeng)(zeng)益(yi)。
圖 5：對用戶(hu)來說，MAAL-011111 LNA 表(biao)面上是(shi)一個單級放大(da)器(qi)，但其內部使(shi)用了(le)一系列增(zeng)益(yi)級，旨(zhi)在(zai)大(da)化輸入到輸出信號路徑 SNR，同時在(zai)輸出端增(zeng)加顯著(zhu)增(zeng)益(yi)。（圖片來源：MACOM）
與 Analog Devices 的(de) LNA 類似，MAAL-011111 只需(xu)要一(yi)個低壓電(dian)(dian)源(yuan)，且尺寸僅為 3×3 mm，極為小(xiao)巧。用戶可以通(tong)過將偏置(zhi)(zhi)（電(dian)(dian)源(yuan)）電(dian)(dian)壓設置(zhi)(zhi)在 3.0 和 3.6 V 之間的(de)不同值來調整和權衡(heng)某些性能規格。建議(yi)電(dian)(dian)路板(ban)(ban)布局顯示保持適當的(de)阻抗(kang)匹配(pei)和地平面(mian)性能所需(xu)的(de)關鍵印(yin)刷電(dian)(dian)路板(ban)(ban)銅皮尺寸（圖 6）。
圖(tu) 6：建議的(de)布局(ju)，充(chong)分利用(yong)了 MACOM 的(de) MAAL-011111，同(tong)時提(ti)供輸入和輸出阻抗匹(pi)配。注意，對于阻抗控制(zhi)型傳輸線(xian)以及低阻抗地平面，使用(yong)印刷(shua)電路板銅皮(pi)（尺寸以毫米為單位(wei)）。（圖(tu)片來源(yuan)：MACOM）
PA 驅動天線
與 LNA 困難的信號(hao)(hao)捕獲挑戰相反，PA 則是(shi)(shi)從電路(lu)中(zhong)獲取相對強的信號(hao)(hao)，具(ju)有很高的 SNR，且必須用(yong)來提高信號(hao)(hao)功率(lv)。與信號(hao)(hao)有關的所有通用(yong)系(xi)數均已知，如幅值、調制(zhi)、波(bo)形、占(zhan)空比等。這就是(shi)(shi)信號(hao)(hao)處(chu)理圖(tu)中(zhong)的已知信號(hao)(hao) / 已知噪(zao)聲象限，是(shi)(shi)最容易應對的。
PA 的主要(yao)參數(shu)為相關頻(pin)率下的功率輸(shu)出，其(qi)典型增益在+10 至+30 dB 之間。能效是 PA 參數(shu)中(zhong)僅(jin)次于增益的又一關鍵參數(shu)，但(dan)是使(shi)用模型、調(diao)制(zhi)、占空比、允許失(shi)真(zhen)度以及受驅信(xin)號的其(qi)它方(fang)面(mian)會使(shi)任何能效評(ping)估(gu)變得復雜。PA 的能效在 30 到(dao) 80% 之間，但(dan)這(zhe)在很大程度上是由多種因素決定的。線性(xing)度也是 PA 的關鍵參數(shu)，與在 LNA 一樣(yang)用 IP3 值判定。
盡管許多 PA 采用低功(gong)(gong)(gong)耗(hao) CMOS 技(ji)(ji)術（最(zui)高(gao)(gao)約(yue) 1 至 5 W），但在(zai)最(zui)近幾年(nian)里(li)，其(qi)(qi)它技(ji)(ji)術業已發展成熟并被(bei)廣泛應用，在(zai)考慮(lv)將能(neng)效(xiao)作為(wei)電池續航時間和散熱的(de)(de)關鍵指標的(de)(de)更(geng)(geng)高(gao)(gao)功(gong)(gong)(gong)率水平的(de)(de)情況下，尤其(qi)(qi)如此。在(zai)需(xu)要幾個瓦特或(huo)更(geng)(geng)高(gao)(gao)功(gong)(gong)(gong)率的(de)(de)情況下，采用氮化鎵(GaN) 的(de)(de) PA 在(zai)更(geng)(geng)高(gao)(gao)功(gong)(gong)(gong)率和頻率（典型值為(wei) 1 GHz）下具(ju)有更(geng)(geng)優的(de)(de)能(neng)效(xiao)。尤其(qi)(qi)是(shi)考慮(lv)到能(neng)效(xiao)和功(gong)(gong)(gong)率耗(hao)散時，GaN PA 具(ju)成本競爭力。
Cree/Wolfspeed CGHV14800F（1200 到 1400 MHz，800 W 器件）是最新的(de)一些基于 GaN 的(de) PA 代(dai)表(biao)。這(zhe)種 HEMT PA 的(de)能(neng)效、增益和(he)帶寬組合對脈沖 L 波段(duan)雷達放大器進行了(le)優化，使設計人員能(neng)夠在空中流量(liang)管(guan)制(ATC)、天(tian)氣、反導和(he)目(mu)標跟蹤系統等應用中找到許多用途。使用 50 V 電源，提供 50% 及更(geng)高(gao)的(de)典型(xing)能(neng)量(liang)轉換效率，并采用 10 ×20 mm 陶瓷封裝，帶有用于冷(leng)卻的(de)金屬法蘭（圖 7）。
圖(tu) 7：CGHV14800F 1200 至 1400 MHz，800 W，GaN PA 具有金屬(shu)法(fa)蘭(lan)的 10 ×20 mm 陶瓷封裝(zhuang)必須同時滿足(zu)困難的射頻和散熱(re)要求(qiu)。出(chu)于機(ji)械和熱(re)完整(zheng)性考慮，注意安裝(zhuang)法(fa)蘭(lan)時將(jiang)封裝(zhuang)旋緊（不(bu)焊接）到印刷電路板。（圖(tu)片來源：Cree/Wolfspeed）
CGHV14800F 采用 50 V 電源供電，通常提供 14 dB 的功率(lv)(lv)增(zeng)益(yi)，能(neng)量轉換效率(lv)(lv)> 65%。與(yu) LNA 一樣，評估電路和參考(kao)設計至關重要（圖 8）。
圖 8：除了器件(jian)本(ben)身之外，為 CGHV14800F PA 提(ti)供的(de)演示電路需要的(de)元器件(jian)非常(chang)少(shao)，但物理布局和散熱(re)考慮(lv)很(hen)關鍵；考慮(lv)安裝完(wan)整性和熱(re)目(mu)標，PA 通過封裝法蘭以螺釘和螺母（在底部(bu)，不可見）固(gu)定(ding)到板上。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
許(xu)多(duo)規格表和性能曲線中同樣重要(yao)的(de)是功(gong)率(lv)(lv)耗散(san)降額曲線（圖 9）。該曲線顯示了可用的(de)功(gong)率(lv)(lv)輸(shu)出額定(ding)(ding)值(zhi)與外殼(ke)溫度的(de)關系，指示最大允許(xu)功(gong)率(lv)(lv)是恒定(ding)(ding)的(de) 115°C，然后線性減小到 150°C 的(de)最大額定(ding)(ding)值(zhi)。
圖 9：由于其在輸(shu)送功率方面(mian)的作用，需要(yao) PA 降(jiang)額曲線向設(she)計人員顯示允許輸(shu)出功率隨(sui)著外(wai)殼溫度(du)的升高而降(jiang)低(di)。這里(li)，額定功率在 115?C 之后迅速下降(jiang)。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
MACOM 還提供了基(ji)于 GaN 的(de)(de) PA，例如 NPT1007 GaN 晶體管(guan)（圖 10）。其直流至 1200 MHz 的(de)(de)頻率(lv)跨度適用于寬帶和窄帶射頻應用。該器件通常以 14 到 28 V 之間(jian)的(de)(de)單電源工作，可(ke)在(zai)(zai) 900 MHz 提供 18 dB 的(de)(de)小(xiao)信號增益。該設計旨(zhi)在(zai)(zai)耐受 10:1 SWR（駐波比）不(bu)匹配，且不(bu)會發(fa)生器件退(tui)化。
圖(tu) 10：MACOM 的 NPT1007 GaN PA 跨越直(zhi)流到 1200 MHz 的范(fan)圍，適(shi)用于寬帶和窄帶射頻應用。設(she)計人員通過各種負載(zai)拉伸(shen)圖(tu)獲得額(e)外支持。（圖(tu)片來源：MACOM）
除(chu)了顯示(shi) 500、900 和(he) 1200 MHz 時性能基礎的圖(tu)外(wai)，NPT1007 還支持各種“負載拉伸”圖(tu)，為(wei)努力確保穩定產品（圖(tu) 11）的電路(lu)和(he)系統設計(ji)(ji)人員(yuan)提(ti)供(gong)幫助。負載拉伸測試使用成對信號源和(he)信號分(fen)析儀（頻譜分(fen)析儀、功率計(ji)(ji)或矢量(liang)接收器）完(wan)成。
該測試(shi)要求看到被測設備(DUT) 的(de)(de)阻抗(kang)變化(hua)，以評(ping)估 PA 的(de)(de)性(xing)能(neng)（包括諸如輸(shu)出功率、增益和能(neng)效等因素），因為所有(you)相關的(de)(de)元器件值可能(neng)由于溫度(du)變化(hua)或由于圍繞其標稱值的(de)(de)公(gong)差帶內(nei)的(de)(de)變化(hua)而改變。
圖 11：NPT1007 PA 的(de)負載(zai)拉伸圖超出了最小 / 最大 / 典型規格標(biao)準表，以(yi)在其負載(zai)阻(zu)抗偏(pian)離其標(biao)稱值（初始生產公差以(yi)及熱(re)漂移(yi)會導(dao)致實際使用中出現這種情況）時顯示 PA 性能。（圖片來(lai)源(yuan)：MACOM）
無論使用(yong)哪種(zhong) PA 工藝，器件(jian)的(de)輸出阻抗(kang)均必須由(you)供(gong)應商進(jin)(jin)行充(chong)分特征化，使設計人員能將該器件(jian)與天線正確匹配，實現最大的(de)功率(lv)傳輸并盡可(ke)能保持 SWR 一致。匹配電(dian)路(lu)(lu)主要由(you)電(dian)容器和電(dian)感器構成，并且可(ke)實現為分立(li)器件(jian)，或者制造為印刷電(dian)路(lu)(lu)板甚至產品封裝的(de)一部分。其設計還(huan)必須維持 PA 功率(lv)水平。再次重申(shen)，史密斯圓圖等(deng)工具(ju)的(de)使用(yong)，是理解并進(jin)(jin)行必要的(de)阻抗(kang)匹配的(de)關鍵。
鑒于 PA 較小的(de)(de)(de)芯片尺寸和較高的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)水(shui)平(ping)，封裝對 PA 來講(jiang)是一個關(guan)鍵問(wen)題。如前所述，許多(duo) PA 通過寬的(de)(de)(de)散熱(re)封裝引線和法蘭支撐以(yi)及封裝下(xia)的(de)(de)(de)散熱(re)片散熱(re)，作為(wei)到印刷電路板銅皮的(de)(de)(de)路徑。在較高功(gong)率(lv)水(shui)平(ping)（約高于 5 至 10 W），PA 可以(yi)有銅帽，使散熱(re)器可以(yi)安裝在頂部，并且可能(neng)需要(yao)風扇或其它先進的(de)(de)(de)冷卻技術(shu)。
GaN PA 相關的(de)(de)額定功率和小尺寸意味著對熱環(huan)境(jing)建模至關重要。當然，將 PA 本身(shen)保持在允許的(de)(de)情況(kuang)或(huo)結溫范(fan)圍內是不夠的(de)(de)。從(cong) PA 散去的(de)(de)熱量不能(neng)給電路和系統(tong)其它部分帶來問(wen)題。必須考(kao)慮處(chu)理和解決整個熱路徑。
總結
從(cong)智(zhi)能手機到 VSAT 端子和相控陣雷達(da)系統(tong)等基于射頻(pin)的(de)系統(tong)正在推動 LNA 和 PA 性能的(de)極限(xian)。這(zhe)使得器件制造商(shang)不再(zai)局(ju)限(xian)于硅(gui)，而(er)是探索 GaAs 和 GaN 以提(ti)供所(suo)需的(de)性能。
這些新(xin)的(de)工藝技術(shu)為設計(ji)人(ren)員(yuan)提(ti)供(gong)了帶寬更寬、封裝(zhuang)更小、能效更高(gao)的(de)器件(jian)。不過，設計(ji)人(ren)員(yuan)需要了解 LNA 和 PA 運(yun)行的(de)基(ji)礎知識，才能有效地應用這些新(xin)技術(shu)。
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