CS9922GS-1光伏安規測試儀產品簡介光伏安規測試儀是一種用于測試PV模塊、電纜、連接器、接線盒的試驗儀器，可應對高電壓和高靈敏度絕緣試驗。具有DC耐壓測試和絕緣電阻測試兩種功能，根據IEC61730標準中對光伏組件應用等級的定義，分為A、B、C級。電流測量端可選擇接地模式或浮地模式。光伏組件的絕緣耐壓試驗同IEC61215/61646一樣依據于應用類別和系統的大電壓。測試大電壓
更新時間(jian)：2018-06-22
CS9922GS-1光伏安規測試儀
CS9922GS-1光伏安規(gui)測試儀產品(pin)簡介
光(guang)伏安規測(ce)試儀(yi)是一(yi)種(zhong)用于測(ce)試PV模塊、電(dian)纜、連(lian)接(jie)器、接(jie)線盒的試驗(yan)儀(yi)器，可應(ying)對高電(dian)壓和高靈(ling)敏度絕緣試驗(yan)。具有(you)DC耐壓測(ce)試和絕緣電(dian)阻測(ce)試兩種(zhong)功能，
根據IEC61730標準中對光伏組(zu)件應用(yong)等級的定義，分為A、B、C級。
電(dian)流測量端(duan)可選擇接地模式或浮地模式。光伏(fu)組件的絕緣耐(nai)壓試驗(yan)同IEC61215/61646一樣依據于應用類別和系統的大電(dian)壓。
測試大電(dian)壓(ya)對于應用類別A：2000V加4倍系統大電(dian)壓(ya)。
對(dui)于應用類別B：1000V加(jia)2倍系統(tong)大電(dian)壓。
根據計算A類(lei)大(da)電壓為8000V，公司CS9923GS正(zheng)依(yi)據此標準生產。
根(gen)據計算B類大電(dian)壓為6000V，公司CS9922GS正依據此標準生產。
*性能
高精度電(dian)流測(ce)量(liang)，0.001uA判斷分辨(bian)率 快速(su)的電(dian)壓建立時(shi)間：
（1）直流輸出電壓的建立時間為60ms。
（2）步(bu)與(yu)步(bu)之間(jian)的時間(jian)小為(wei)450ms。
輸出電(dian)壓(ya)具有(you)正常模式和梯度模式。
應(ying)用領(ling)域
太陽能(neng)接(jie)(jie)線(xian)盒(he)及太陽能(neng)連接(jie)(jie)器(qi)
硅片(pian)/太陽(yang)能電池
晶(jing)硅(gui)電池(chi)組件
太陽能光(guang)伏組件、單、多(duo)晶硅片、電池(chi)片
逆變(bian)器(qi)
電(dian)纜及(ji)連接材料
蓄電池、控(kong)制(zhi)器(qi)
薄膜電池組件
蓄電池/充電調節器
含氟薄膜復(fu)合型光伏組件背板(ban)專業生產
適用標準
晶體硅(gui)光伏組件：IEC612152005 標準
薄膜光伏組件： IEC616461996 標準
光伏(fu)組件： IEC617302004 標(biao)準
系列技術參數
型號 | CS9922GS | CS9922GS-1 | CS9923GS | ||
ACW | 輸出 | 范圍 | 0.050kV～5.000kV | 0.050kV～5.000kV |
|
電(dian)壓 | 精度 | ±（1.5％讀值+2V） | ±（1.5％讀值+2V） | ||
| 分辨(bian)率 | 1V | 1V | ||
大輸出(chu)功率 | 100VA（5.000kV/20mA） | 500VA（5.000kV/20mA/100 mA） | |||
大額定電(dian)流 | 20mA | 100mA | |||
下限電流(liu)范圍 | 0～20mA,0=不判斷下限 | 0～100mA,0=不判(pan)斷下限(xian) | |||
電流檔位 | 200uA、2mA、20mA | 200uA、2mA、20mA、100mA | |||
電弧偵(zhen)測 | (0.00-20.00)mA ac/(0-9) 0=關(guan) | (0.00-20.00)mA ac/(0-9) 0=關 | |||
電(dian)弧偵測時間 | (0.0-999.9)秒 0＝Disable | (0.0-999.9)秒(miao) 0＝Disable | |||
輸(shu)出波形 | 正弦波 | 正弦波 | |||
輸出(chu)波形失真度 | ≤2%（空載或純(chun)阻(zu)性負載） | ≤2%（空載(zai)或(huo)純阻性負(fu)載(zai)） | |||
電壓上升時(shi)間 | 0.3s～999.9s 0=電(dian)壓(ya)上(shang)升時間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓(ya)上(shang)升時間關 | |||
測試(shi)時間 | 0.3s～999.9s 0=連續(xu)測試 | 0.3s～999.9s 0=連續(xu)測試(shi) | |||
電壓下降時(shi)間 | 0.3s～999.9s 0=電(dian)壓下(xia)降時間關 | 0.3s～999.9s 0=電(dian)壓下降時間關(guan) | |||
間隔時間 | ; 0.0s～999.9s 0=間隔時間關 | ; 0.0s～999.9s 0=間(jian)隔時間(jian)關(guan) | |||
輸出電(dian)壓(ya)模式 | N模式、G模式 | N模式、G模式(shi) | |||
DCW | 輸出 | 范(fan)圍 | 0.050kV～6.000kV | 0.050kV～6.000kV | 0.050kV～9.999kV |
電(dian)壓 | 精(jing)度 | ±（1.2％讀值+2V） | ±（1.2％讀(du)值+2V） | ±（1.2％讀值+2V） | |
| 分(fen)辨率 | 1V | 1V | 1V | |
大(da)輸出功率 | 60W（6.000kV10mA） | 300W（6.000kV50mA） | 60W（6.000kV10mA） | ||
大(da)額定電流 | 10mA | 50mA | 10mA | ||
電(dian)流(liu)檔(dang)位(wei) | 2uA、20uA、200uA、2mA、10mA | 2uA、20uA、200uA、2mA、10mA、50mA | 2uA、20uA、200uA、2mA、10mA | ||
紋波系數 | ≤5%（6kV/10mA） | ≤5%（6kV/10mA） | ≤5%（6kV/10mA） | ||
放電時間 | ≤200ms | ≤200ms | ≤200ms | ||
電弧(hu)偵測 | (0.00-10.00)mAac/(0-9) 0=關(guan) | (0.00-20.00)mAac/(0-9) 0=關 | (0.00-10.00)mAac/(0-9) ; 0=關 | ||
電弧偵(zhen)測時間 | (0.0-999.9)秒 0＝Disable | (0.0-999.9)秒(miao) 0＝Disable | (0.0-999.9)秒 0＝Disable | ||
電壓上(shang)升時間 | 0.3s～999.9s 0=電壓(ya)上升時間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓(ya)上升時(shi)間關(guan) | 0.3s～999.9s 0=電壓上(shang)升時間關 | ||
測試時間 | 0.3s～999.9s 0=連續測試 | 0.3s～999.9s 0=連續測試 | 0.3s～999.9s 0=連續測試 | ||
電(dian)壓下降時間 | 0.3s～999.9s 0=電壓下降時間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓下降時間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓(ya)下降時間關(guan) | ||
間隔時間 | 0.0s～999.9s 0=間隔時間關 | 0.0s～999.9s 0=間隔時(shi)間關 | 0.0s～999.9s 0=間隔時間關 | ||
延時報警(jing)時間(jian) | 0.3s～999.9s 0=延時報警(jing)時間關 | 0.3s～999.9s 0=延時(shi)報警時(shi)間關 | 0.3s～999.9s 0=延時報警時間關 | ||
輸出電壓模式 | N模式、G模式 | N模式、G模式 | N模(mo)式、G模式 | ||
IR | 輸(shu)出 | 范圍 | 0.100kV～1.000kV | 0.100kV～1.000kV | 0.100kV～1.000kV |
電壓 | 精度 | ±（1.2％讀值+5V） | ±（1.2％讀值+5V） | ±（1.2％讀(du)值+5V） | |
| 分辨率 | 1V | 1V | 1V | |
大上限設定值 | 50.00GΩ | 50.00GΩ | 50.00GΩ | ||
大下限設定值 | 50.00GΩ | 50.00GΩ | 50.00GΩ | ||
小下限設定值 | 1MΩ | 1MΩ | 1MΩ | ||
電壓上升時間 | 0.3s～999.9s 0=電壓上升時間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓(ya)上升(sheng)時(shi)間關 | 0.3s～999.9s 0=電壓上(shang)升時間(jian)關(guan) | ||
測試(shi)時間 | 0.3s～999.9s 0=連續(xu)測(ce)試 | 0.3s～999.9s 0=連續測(ce)試 | 0.3s～999.9s 0=連續測試 | ||
間隔時間 | 0.0s～999.9s 0=間(jian)隔(ge)時間(jian)關(guan) | 0.0s～999.9s 0=間隔(ge)時(shi)間關(guan) | 0.0s～999.9s 0=間隔(ge)時間關(guan) | ||
自動切換(huan)檔位 | 可設置為(wei)開、關(guan) | 可設置為開、關(guan) | 可(ke)設(she)置(zhi)為開、關 | ||
放電時間 | ≤200ms | ≤200ms | ≤200ms | ||
電 | 范圍 | 0.000kV～6.000kV | 0.000kV～6.000kV | 0.000kV～6.000kV | |
壓 | 精度(du) | ±（1％讀值(zhi)+5V）電壓≥1.000kV ±（2％讀值+5V）電(dian)壓<1.000kV | ±（1％讀值+5V）電壓≥1.000kV ±（2％讀值+5V）電壓<1.000kV | ±（1％讀(du)值+5V）電(dian)壓≥1.000kV ±（2％讀值(zhi)+5V）電壓<1.000kV | |
表(biao) | 分辨率(lv) | 1V | 1V | 1V | |
| 顯示數值(zhi) | 均方(fang)根值 | 均方根(gen)值 | 均方根值 | |
電(dian) | 測(ce)量 | AC | 0 ～ 20mA | 0 ～ 20mA | 0 ～ 20mA |
流 | 范圍(wei) | DC | 0 ～ 10mA | 0 ～ 10mA | 0 ～ 10mA |
表(biao) | 分辨(bian)率 | AC | 200uA檔(dang)：0.1uA,2mA檔(dang)：1uA,20mA檔(dang)：10uA | 200uA檔(dang)：0.1uA,2mA檔(dang)：1uA,20mA檔(dang)：10uA | 200uA檔(dang)(dang)：0.1uA,2mA檔(dang)(dang)：1uA,20mA檔(dang)(dang)：10uA |
| DC | 2uA檔：0.001uA, | 2uA檔：0.001uA, | 2uA檔：0.001uA, | |
| 20uA檔：0.01uA, | 20uA檔：0.01uA, | 20uA檔：0.01uA, | ||
| 200uA檔：0.1uA, | 200uA檔(dang)：0.1uA, | 200uA檔：0.1uA, | ||
| 2mA檔：1uA, | 2mA檔：1uA, | 2mA檔(dang)：1uA, | ||
| 10mA檔:10uA | 10mA檔(dang):10uA | 10mA檔:10uA | ||
| 測量精度 | ±（2%讀值+2個字） | ±（2%讀(du)值+2個(ge)字） | ±（2%讀值+2個字） | |
| 偏(pian)移功能(neng) | 測試線(xian)及附件的(de)的(de)電(dian)流可以被減去(qu)。 | 測試線及附件的(de)(de)的(de)(de)電流(liu)可(ke)以(yi)被減去。 | 測試線及(ji)附件(jian)的的電流(liu)可以被(bei)減去。 | |
| 測試模式(shi) | 接地 模式：RETURN端(duan)接機殼 | 接(jie)地(di) 模(mo)式：RETURN端接機殼(ke) | 接地 模(mo)式：RETURN端接(jie)機殼 | |
| 浮地 模(mo)式：RETURN端不(bu)接機殼 | 浮地 模式：RETURN端不接機(ji)殼 | 浮地 模式：RETURN端不(bu)接機(ji)殼 | ||
電 | 測量范(fan)圍 | 1MΩ～9.999G | 1MΩ～9.999G | 1MΩ～9.999G | |
阻(zu) | 分辨率 | 1.00MΩ～10.00MΩ為0.01MΩ 10 .00MΩ～100.0MΩ為0.01MΩ | 1.00MΩ～10.00MΩ為0.01MΩ 10 .00MΩ～100.0MΩ為0.01MΩ | 1.00MΩ～10.00MΩ為(wei)0.01MΩ 10 .00MΩ～100.0MΩ為(wei)0.01MΩ | |
表 | 0.100GΩ～1.000GΩ為0.1MΩ 1.00GΩ～10.00GΩ為1MΩ | 0.100GΩ～1.000GΩ為0.1MΩ 1.00GΩ～10.00GΩ為1MΩ | 0.100GΩ～1.000GΩ為0.1MΩ 1.00GΩ～10.00GΩ為1MΩ | ||
| 精度(du) | 0.100kV～0.300kV：(1MΩ- 1.000GΩ) ±（10%讀值+2個字） | 0.100kV～0.300kV：(1MΩ- 1.000GΩ) ±（10%讀值+2個字） | 0.100kV～0.300kV：(1MΩ- 1.000GΩ) ±（10%讀值+2個字） | |
| 0.301kV～0.500kV：(1MΩ～5.000GΩ)小于1.000GΩ為±（5%讀值+2個字）大(da)于1.000GΩ為±（10%讀值+2個字(zi)） | 0.301kV～0.500kV：(1MΩ～5.000GΩ)小于1.000GΩ為±（5%讀值+2個(ge)字）大于(yu)1.000GΩ為±（10%讀值(zhi)+2個字） | 0.301kV～0.500kV：(1MΩ～5.000GΩ)小于1.000GΩ為(wei)±（5%讀值+2個字）大于1.000GΩ為±（10%讀值+2個字） | ||
| 0.501kV～1.000kV：(1MΩ～10.00GΩ)小(xiao)于1.000GΩ為±（5%讀值(zhi)+2個字）大于(yu)1.000GΩ為±（10%讀值+2個字） | 0.501kV～1.000kV：(1MΩ～10.00GΩ)小于1.000GΩ為±（5%讀值+2個字(zi)）大于1.000GΩ為(wei)±（10%讀值+2個(ge)字） | 0.501kV～1.000kV：(1MΩ～10.00GΩ)小于(yu)1.000GΩ為(wei)±（5%讀值+2個(ge)字）大于(yu)1.000GΩ為±（10%讀值+2個字） | ||
計 | 范圍 | 0～999.9s | 0～999.9s | 0～999.9s | |
時 | 分辨率(lv) | 0.1s | 0.1s | 0.1s | |
器(qi) | 精度(du) | ±（0.1%+50ms） | ±（0.1%+50ms） | ±（0.1%+50ms） | |
記憶組/測(ce)試步 | 50組/40步(bu) | 50組/40步 | 50組(zu)/40步 | ||
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